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NXP Semiconductors
MMBZxVCL; MMBZxVDL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
100
C d
(pF)
80
60
40
006aab328
10 2
I RM
(nA)
10
1
10 ? 1
006aab329
(1)
(2)
20
(3)
(4)
10 ? 2
0
0
5
10
15
20
25
V R (V)
10 ? 3
? 75
? 25
25
75
125 175
T amb ( ° C)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) MMBZ15VDL: unidirectional
(2) MMBZ15VDL: bidirectional
(3) MMBZ27VCL: unidirectional
(4) MMBZ27VCL: bidirectional
MMBZ27VCL: V RWM = 22 V
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Reverse leakage current as a function of
junction temperature; typical values
I
I PPM
I PP
? V CL ? V BR ? V RWM
? I RM
? I R
V
? V CL ? V BR ? V RWM
I R
I RM
? I RM
? I R
V RWM V BR V CL
?
+
P-N
?
+
? I PP
? I PPM
006aab324
? I PP
? I PPM
006aab325
Fig 7.
V-I characteristics for a unidirectional
Fig 8.
V-I characteristics for a bidirectional
ESD protection diode
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
ESD protection diode
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 September 2008
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